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RIE反应离子刻蚀机

RIE反应离子刻蚀机采用RIE反应离子诱导激发方式,实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学、科研院所,微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低,性价比高,易维护,处理快速高效。

产品详情

技术参数

行业应用


  • 7寸彩色触摸屏中英文互动操作界面,自动控制监测工艺参数状态,20个配方程序,工艺数据可存储追溯。
  • PLC工控机控制整个清洗过程,手动、自动两种工作模式。
  • 真空舱体、全真空管路系统采用316不锈钢材质,耐腐蚀无污染。
  • 采用防腐数字流量计,实现对气体输入精准控制。标配双路气体输送系统,可选多气路气体输送系统,可输入氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。
  • 采用花洒式多孔进气方式,改变单孔进气不均匀问题。
  • HEPA高效过滤,气体返填吹扫,防止二次污染。
  • 符合人体功能学的60度倾角操作界面设计,操作方便,界面友好。
  • 采用顶置真空舱,上开盖设计,下压式铰链开关方式。
  • 上置式360度水平取放样品设计,符合人体功能学,操作更方便。
  • 有效处理面积大,可处理最大直径200mm晶元硅片。
  • 安全保护,舱门打开,自动关闭电源,机器运行、停止提示。


技术参数

型号

RIE200

RIE200plus

舱体内尺寸

H38×Φ260mm

H38×Φ260mm

舱体容积

2L

2L

射频电源

40KHz

13.56MHz

电极

不锈钢气浴RIE电极,Φ200mm

不锈钢气浴RIE电极,Φ200mm

匹配器

自动匹配

自动匹配

刻蚀方式

RIE

RIE

射频功率

0-600W可调(可选0-1000W

0-300W可调(可选0-600W

气体控制

质量流量计(MFC)(标配双路,可选多路)流量范围0-500SCCM(可调)

工艺气体

ArN₂O₂H₂CF4CF4+ H2CHF3或其他混合气体等(可选)

最大处理尺寸

Φ154mm

产品尺寸

L520×W600×H420mm

包装尺寸

L700×W580×H490mm

时间设定

9999

真空泵

抽速约8平方米/

气体稳定时间

1分钟

极限真空

≤1Pa

AC220V 50-60Hz8021202502802W所有配线符合《低压配电设计规范 GB50054-95》、《低压配电装置及线路设计规范》等国标标准相关规定。

整机重量

38kg

行业应用
适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。具体包括:
  • 介电材料(SiO2SiNx等)
  • 硅基材料(Si,a-Si,poly Si)
  • III-V材料(GaAs、InP、GaN等)
  • 溅射金属(Au、Pt、Ti、Ta、W等)
  • 类金刚石(DLC)

主要用于微电子芯片、太阳能电池、生物芯片、显示器、光学、通讯等领域的器件研发和制造。


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